韩国SK海力士联手美国初创公司TetraMem及南加州大学，发表基于忆阻器的存内计算（IMC）SoC芯片，专攻边缘AI设备的神经网络推理，相关论文刊载于《Advanced Intelligent Systems》。
该芯片采用65纳米制程，内建嵌入式RISC-V处理器与10个NPU，其中9个执行标准运算，1个专为深度可分离卷积（DWC）优化，采用锯齿形交叉阵列实现28组独立3×3卷积并行运算。
研究团队以双子阵列补偿技术将忆阻器约2-bit编程精度提升至等效4-bit，实测以MobileNetV1Small跑端到端推理准确率达80.36%，与4-bit软件模型相当。业界评论称，这标志着边缘AI的“功耗革命”正在到来。