国家自然科学基金委员会发布消息，我国学者在分子晶体忆阻器方面取得重要进展：通过构建范德华离子迁移通道，实现接近理论极限的超低开关能耗（26 zJ，泽焦=10⁻²¹焦耳）和超过10⁹次循环耐久性。
研究团队引入由Sb₄O₆分子笼单元组成的无机分子晶体，分子笼通过范德华力连接形成高度有序的分子间隙，为Ag⁺离子提供天然迁移通道，显著降低迁移能垒（0.41 eV），避免晶格损伤并提升器件稳定性。
研究团队进一步在8英寸晶圆上构筑大规模交叉阵列，并将其集成至单片CMOS芯片用于储备池计算，在动态视觉识别任务中达到100%准确率，展示了分子晶体忆阻器在类脑计算中的应用前景。