《物理学报》刊发综述文章，系统总结面向类脑计算的低电压忆阻器研究进展。文章指出，构筑电压低于1V的低电压、高性能忆阻器，是实现类脑计算能效系统的关键问题。
综述阐述了电化学金属化与价态变化两大机制，总结了过渡金属氧化物、二维材料和有机材料三大材料体系的优势，并围绕材料工程、掺杂工程、界面工程提出低电压实现策略。
文中列举多项代表性成果：Au/h-BN/Au器件在0.1V电压下实现10⁷高开/关比；Ag/GeTe/MoTe₂/Pt异质结开关电压低至0.15V；Pt/DDP-CuNPs/Au器件实现4mV超低阈值开关。低电压器件与生物神经系统电压范围匹配，在可穿戴电子、脑机接口等领域尤为重要。