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全球忆阻器架构市场2026年一季度出货量同比增长214%

分类:产业报告 | 发布日期:2026-05-23 | 来源:IIM信息产业网
📌 本文内容转载自「IIM信息产业网」,原文链接:https://www.iim.net.cn/103/view-255032-1.html ,版权归原作者所有。

行业分析报告显示,2026年第一季度全球忆阻器架构市场呈现爆发式增长,年度出货量突破8.7亿颗,较2025年同期增长214%,神经形态计算与存算一体架构正从实验室走向产业化。

数据中心专用忆阻器阵列模块营收占比从2024年不足12%攀升至41%;全球研发投入总额达62.3亿美元,亚太地区贡献47%的专利申请量。基于氧化物(HfO₂、TaOₓ)的交叉阵列架构占出货量63%,三维垂直集成架构完成首次量产验证,存储密度较二维平面提升8倍。

供给端,全球前五大制造商产能利用率在2025年第四季度达92%,新建12英寸晶圆厂中有7条专用于忆阻器生产,总投资额超过33亿美元。代工服务价格较2024年上涨35%,产业链从定制化向标准化迁移。

忆阻器交叉阵列(Crossbar Array):存储与矩阵运算的物理载体
▲ 示意图:全球忆阻器架构市场2026年一季度出货量同比增长214%
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