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剑桥大学:类脑忆阻器开关电流仅为传统器件百万分之一

分类:技术前沿 | 发布日期:2026-09-05 | 来源:科技日报
📌 本文内容转载自「科技日报」,原文链接:https://www.stdaily.com/index/kejixinwen/202609/23b3f9175c8c49308f9e38a6e3d8d983.shtml ,版权归原作者所有。

科技日报报道,英国剑桥大学研究人员开发出一款类脑忆阻器,其开关电流仅为传统忆阻器的百万分之一,且能更可靠地模拟人脑突触行为。该研究为研制低功耗、高可靠性类脑计算硬件提供了新思路,成果已提交至《科学进展》(Science Advances)。

传统忆阻器在高开关电流下才能实现稳定的电阻切换,导致器件体积难以缩小,并且存在阻态稳定性不足的问题。新器件采用超薄氧化铪材料,优化了导电细丝的形成机制,在纳安级电流下依然保持稳定阻变。

低电流意味着器件可以做得更小、密度更高,同时显著降低整个阵列的静态功耗,这对需要大规模集成的人工神经网络硬件尤为关键。

顶电极 Top Electrode 阻变功能层(如 HfO₂ / TaOₓ) 底电极 Bottom Electrode 金属-绝缘体-金属(MIM)三明治结构忆阻器
▲ 示意图:剑桥大学:类脑忆阻器开关电流仅为传统器件百万分之一
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