剑桥大学团队研发出新型氧化铪忆阻器，开关电流仅为传统器件的百万分之一。该器件采用独特的PN结结构，避免了传统忆阻器的随机性缺陷，实现了高精度和长寿命，这项技术有望将神经形态计算系统功耗降低70%以上。
传统忆阻器在导电细丝形成过程中存在明显的随机性，导致阻值波动大、寿命受限。新器件通过PN结对导电通道的约束作用，使开关过程高度可控，从根本上改善了器件的均一性。
测试数据显示：该器件开关电流低至10⁻⁸安培及以下，数据保持时长超过10万秒，脉冲开关耐久循环次数突破5万次，综合性能指标达到了同类器件的领先水平。
业内专家指出，器件级功耗的大幅下降必须与外围读写电路协同优化，才能真正体现系统级优势；该成果为高密度的神经形态计算芯片提供了关键器件基础。